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EPSON爱普生FA2016AS石英晶振深度解析

2026-10-19 10:31:04 锦玉电子

EPSON爱普生FA2016AS石英晶振深度解析
深圳市锦玉电子有限公司,作为EPSON(爱普生)晶振品牌授权代理商,长期面向国内物联网,可穿戴,无线通信,工业控制,消费电子,汽车电子等行业客户,提供EPSON全系列石英晶振,有源振荡器(SPXO/TCXO),32kHz时钟器件及配套选型,样品测试,批量供货一站式服务,欢迎各界研发工程师,采购负责人来电咨询:13554885718.
在所有电子元器件中,石英晶振是最不起眼,却又最不可或缺的一类.它没有MCU那样复杂的功能,没有电源芯片那样显眼的散热,也没有射频前端那样花哨的指标,但几乎每一块带电工作的电路板上,都至少有一颗石英晶振——它为整个系统提供那个最基础,最不可漂移的"心跳".随着物联网终端,可穿戴设备,无线传感节点向小型化,低功耗,电池供电方向快速演进,晶振也在不断缩小封装,压低功耗,提升温度稳定性.本文将从小封装晶振的产业背景,EPSON爱普生晶振的技术积淀,FA2016AS的设计哲学,核心参数,底层工艺,典型应用,PCB设计避坑以及锦玉电子的代理服务体系等维度,系统解读这款产品的工程价值.
一,小封装无源晶振:被低估的"心脏器件"
在讨论FA2016AS之前,我们先要回答一个根本问题:为什么在有源振荡器(XO,TCXO)已经如此成熟的今天,仍然有海量产品选择一颗"什么都不带"的无源石英晶振?
答案藏在成本,功耗和体积三个词里.
一颗无源石英晶振,本质上就是一片经过精密切割,电极镀膜,气密封装的石英晶片,它没有任何有源电路,因此成本极低,体积极小,功耗为零——它本身不耗电,耗电的是MCU/SoC内部或外部集成的反相放大器.在电池供电的物联网终端,可穿戴设备,无线传感节点中,系统对每微安电流,每平方毫米板面都极其敏感.把时钟源从有源XO换成"MCU内部振荡器+外部无源晶振",整板BOM成本可以下降数倍,体积可以压缩一半以上,静态功耗也能压到微安级.这就是为什么你在TWS耳机,智能手表,蓝牙手环,LoRa节点,Cat.1模组,Wi-Fi模块,智能家居设备上,看到的几乎都是1610,2016,2520这类小封装无源晶振.
但无源晶振不是"插上就能用"的简单器件.它的起振依赖外部放大电路,频率精度依赖负载电容匹配,温度稳定性依赖晶片切型与切割工艺,长期可靠性依赖封装气密性.一颗0.65mm厚,2.0×1.6mm见方的小器件里,封装了从晶片研磨到电极光刻,从气密焊接到老化筛选的全套精密制造工艺.很多产品在样机阶段通信距离上不去,睡眠电流超标,低温起振失败,野外运行半年后时钟漂移,追根溯源都是那颗不起眼的无源晶振出了问题.
2016封装(2.0×1.6mm)是当前小封装无源晶振的"黄金尺寸".它比1610(1.6×1.0mm)略大,更容易焊接,ESR更低,频率覆盖更全;比2520(2.5×2.0mm),3225(3.2×2.5mm)小一号,能在可穿戴,紧凑IoT终端中节省宝贵板面.EPSONFA2016AS正是在这一尺寸上,把"工业级宽温+低ESR+低老化+低负载电容"几个关键指标做到了同尺寸中的上游水平.
二,EPSON爱普生:六十余年频率器件积淀
EPSON(爱普生)是全球知名的精密制造企业,除了打印机,投影,腕表等大众熟知的业务,其水晶设备(CrystalDevice)部门在全球石英晶振市场长期位居第一梯队.EPSON在日本Toyoda中央研究所的技术基础上,自1960年代起进入石英晶体器件领域,凭借在石英钟表机芯上积累的精密加工,晶片切割,真空镀膜,气密封装能力,逐步把业务扩展到MHz通信晶振,TCXO,RTC(实时时钟),32kHz音叉晶振,有源振荡器全系列.
EPSON晶振产品线覆盖:

FA2016AS
32kHz音叉晶振:FC-135/135R等,是全球IoT,手表,RTC电路的事实标准;
MHz无源晶振:FA-118/118T,FA-2016AA/AS,FC-2520,X2016等,覆盖1610,2016,2520,3225全尺寸;
有源振荡器SPXO:SG-20,SG-30系列;
TCXO/VC-TCXO:TG2016SMN,TG3225系列,面向蜂窝基站,GNSS,高精度同步;
RTC实时时钟模块:整合了32kHz晶振与补偿电路的完整计时方案.
在小封装MHz晶振这个细分赛道,EPSON是少数同时掌握"晶片设计+真空镀膜+陶瓷/金属封装+老化筛选"全流程自有产线的厂商.这意味着它可以从晶片切型,角度,电极图形,封装材料每一个环节做系统性优化,而不是像很多二线品牌那样外购晶片,自行封装.FA2016AS就是这种全流程能力的产物.
深圳锦玉电子作为EPSON授权代理商,可向客户提供FA2016AS全规格订货,样品申请,规格书核对,替代方案评估,并支持客户在选型阶段对接EPSON原厂FAE解决起振裕量,负载电容匹配,温度特性等技术问题.咨询热线:13554885718.
三,FA2016AS的设计哲学:一颗为现代IoT而生的工业级小晶振
FA2016AS属于EPSONFA2016大家族中的"S"版本.同家族还有FA2016AA等子型号,差异主要在频率范围,温度特性等级,ESR指标和目标应用.FA2016AS的定位非常清晰:
面向工业级与无线通信场景的2016mm晶振封装基频无源晶振,主打低ESR,低负载电容,宽温稳定,低老化.
从EPSON官方规格书可以看到,FA2016AS的几个关键设计目标:
第一,基频工作,不使用泛音.FA2016AS标称频率覆盖19.2MHz~38.4MHz(基频模式).基频晶片虽然在高频端加工难度大,晶片更薄,但相比泛音晶片(需要外部额外谐振网络才能工作),它的振荡电路更简单,起振更容易,功耗更低,相位噪声更好.这对电池供电的IoT终端至关重要——你不需要为一颗晶振外加复杂的LC网络,MCU两个GPIO就能把它起振.
第二,低ESR设计.ESR(等效串联电阻,规格书中记作R1)是无源晶振最容易被新手忽视,却直接决定起振成功率和功耗的指标.FA2016AS在-30℃~+85℃全温区内,R1最大值仅50Ω.在2016这个尺寸下,50Ω是非常优秀的水平——同尺寸很多竞品ESR在80~100Ω.低ESR意味着什么?意味着MCU内部那个驱动能力不强的反相放大器,也能轻松把晶片起振;意味着低温下晶片Q值下降时,仍然有足够的环路增益;意味着振荡幅度稳定,功耗低,起振快.
第三,低负载电容可选.FA2016AS的CL(负载电容)可在6pF~∞之间按订单指定,常见订货型号是7pF.低负载电容晶振对系统的意义在于:外部所需的两只负载电容容量更小,PCB走线寄生电容占比相对更大但绝对值更小,整板振荡功耗更低,MCU内部振荡电路的工作点更容易设计.在电池供电设备里,每降低1pF负载电容,振荡环路的功耗都会有可观测的下降.
第四,宽温工业级稳定.FA2016AS工作温度范围-40℃~+85℃,温度特性±12ppm(-30℃~+85℃).这意味着它不是一颗只能在室内25℃空调环境下工作的消费级晶振,而是可以放进户外网关,工厂传感器,车载前装(部分等级),户外路灯控制器,农业监测节点等真实工业场景.年老化率±1ppm/year,意味着设备连续在线5年,总老化漂移也只在±5ppm量级,对于大多数非授时类IoT应用完全够用.
第五,激励电平克制.FA2016AS规格书中激励电平(DriveLevel,DL)最大值100μW,推荐值10μW.这个数字看起来很小,但它是晶片寿命的关键.激励电平过高,晶片表面电极会加速迁移,频率老化加快,甚至出现物理损伤;过低则起振困难,振荡幅度不稳.EPSON在规格书中同时给出max与推荐值,就是提醒客户在PCB设计,外加限流电阻选型时,把实际激励电平控制在推荐值附近,而不是贴着最大值跑.
四,FA2016AS核心参数逐项拆解
下面基于EPSON官方规格书(X1E000371xxxx18),把FA2016AS的关键参数逐项拆解,并说明工程含义.
1.标称频率:19.2MHz,38.4MHz为主力频点
FA2016AS是一颗"按频点定制"的晶振,不是一个固定频率型号.EPSON官方主推38.4MHz基频版本(规格书封面频点),同时也有19.2MHz等衍生订货型号(如DigiKey上的FA2016AS19.2000MF12Y-AG3).38.4MHz这个频点非常特殊——它是蓝牙5.x,Wi-Fi,LoRa,Cat.1,GNSS模块,音频Codec等大量射频/模拟芯片的"参考频率公约数":
38.4MHz÷2=19.2MHz(蓝牙BLE常用参考)
38.4MHz×2=76.8MHz
38.4MHz×2.5=96MHz
38.4MHz÷4×250=2400MHz频段合成基础
也就是说,选38.4MHz一颗晶振,SoC内部PLL可以合成出几乎所有射频本振和数字时钟,不需要额外分频/倍频器件.这就是为什么38.4MHz成为现代无线IoT模组的"事实标准参考频点",也是FA2016AS最走量的频点.
2.封装尺寸:2.0×1.6×0.65mm(2016封装)
厚度仅0.65mm,是2016尺寸中较薄的规格.薄封装对可穿戴设备晶振(智能手表表带,TWS耳机充电仓),超薄卡片,紧凑型传感器节点非常重要.封装公差±0.1mm,SMT贴装精度要求适中,主流回流焊工艺可直接兼容.
3.频率公差:±10ppm@25℃
常温下输出频率与标称值的偏差在±10ppm以内.对于大多数IoT应用,10ppm意味着什么?以38.4MHz为例,10ppm=384Hz的绝对频偏.这个偏差对蓝牙,Wi-Fi,LoRa这类有严格信道规划的无线协议来说完全够用——主流ISM频段协议允许的参考频偏通常在±20~±40ppm.如果客户做高精度时间同步,计量仪器,需要TCXO级稳定度,应转选EPSONTG2016SMN系列TCXO,而不是在FA2016AS上硬压公差.
4.温度特性:±12ppm@-30℃~+85℃
这是FA2016AS区别于消费级2016晶振的核心指标.消费级2016晶振典型温漂在±20~±30ppm,且只保证-10℃~+60℃;FA2016AS在-30℃~+85℃全温区内把温漂控制在±12ppm,对应-40℃~+85℃工作温度范围.这意味着:
冬天户外-30℃启动,频率不会跑飞;
夏天机箱内+85℃高温,通信不会因为频偏超出协议门限而断连;
直接替换掉原来的消费级晶振,过工业可靠性测试(高低温循环,温度冲击)通过率显著提升.
5.负载电容CL:6pF~∞可指定,典型7pF
CL是无源晶振选型中最容易出错的参数.规格书中CL=7pF,意味着晶片在出厂时是按"外接等效负载7pF"校准到标称频率的.客户在PCB上必须让晶振两个引脚看到的等效负载电容(两只外部负载电容串联,再加上走线寄生电容)等于7pF,否则输出频率会偏离标称值.
工程上常用公式:CL_ext=(C1×C2)/(C1+C2)+C_stray.如果C1=C2=CL_target,再考虑1~2pF走线寄生,外部两只电容通常选12pF左右(实际值需按SoCdatasheet推荐值反推).FA2016AS同时提供6pF低CL版本,适合对功耗极度敏感的可穿戴产品.
6.ESR(R1):≤50Ω
这是FA2016AS的"静音卖点".50Ω在2016封装中属于第一梯队.低ESR的工程价值:
起振裕量(Start-upMargin)更大,低温,低压,老化后仍能起振;
振荡所需激励电流更小,延长电池寿命;
振荡波形更干净,相位噪声更好;
兼容驱动能力弱的低成本MCU.
7.激励电平DL:Max100μW,推荐10μW
客户在设计时,通常会在振荡回路中串一只限流电阻Rd,把实际激励电平限制在推荐值.Rd的阻值需要按SoCdatasheet给出的公式,结合ESR,负载电容,反相放大器跨导反推.盲目省略Rd会导致DL超标,长期老化加速.
8.年老化率:±1ppm/year
首年±1ppm,之后逐年递减.一颗FA2016AS在户外连续运行5年,总老化漂移约±3~5ppm,加上温度漂移±12ppm,全生命周期最坏频偏约±17ppm.对于大多数非授时类无线终端,这个量级完全在协议门限内.
9.工作/存储温度
工作温度T_use:-40℃~+85℃
存储温度T_stg:-40℃~+125℃(单器件状态)
存储温度高于工作温度,说明器件本身在运输,回流焊,仓储环节能承受125℃高温,不会因为SMT回流焊峰值260℃而失效.
10.命名规则
以FA2016AS38.400000MHz7.0+10.0-10.0为例:
FA2016AS:型号(2016封装S系列)
38.400000MHz:标称频率
7.0:负载电容7.0pF
+10.0-10.0:频率公差±10ppm
订货时这四段缺一不可,再加上温度特性等级代码(如示例中的F12Y对应±12ppm/-30~+85℃),才是完整可下单的料号.锦玉电子在帮客户下单时,会逐项核对这几个字段,避免因后缀错误导致整批物料与方案不匹配.电话:13554885718.
五,规格书背后的工艺:2.0×1.6mm里的精密制造
一颗0.65mm厚的无源晶振,从石英原石到最终成品,要经过几十道工序.EPSON晶振全流程自有产线的工艺控制,是FA2016AS能把ESR压到50Ω,温漂压到±12ppm的根本原因.
晶片定向与切片.AT切晶片是MHz晶振的主流切型.晶片切割角度偏差几度(角分级别),拐点温度,温漂曲线,老化率就会明显偏移.EPSON使用高精度X射线定向仪对石英锭逐片定向,切割后晶片厚度与频率成反比——38.4MHz基频晶片厚度仅约0.043mm,比头发丝还薄,必须在百级洁净间内操作.
研磨与化学抛光.切割后的晶片表面有大量机械损伤层,这些微裂纹在长期振动中会缓慢释放应力,导致频率老化.EPSON采用机械粗磨+精磨+化学抛光多步工艺,把表面损伤层几乎完全去除.抛光后的晶片表面粗糙度达到纳米级,Q值(品质因数)显著提升,这是ESR能压到50Ω的物理基础.
真空电极镀膜.晶片两面蒸镀金属电极(通常是金/银合金),电极图形通过光刻精确定义.电极膜厚,均匀度,附着力直接影响ESR,激励电平耐受性,长期老化.镀膜在高真空中完成,避免氧化和颗粒污染.
晶片封装与气密焊接.FA2016AS采用陶瓷基座+金属盖板平行缝焊(或金锡共晶焊)结构,内部充干燥氮气或真空.气密封装隔绝水汽,氧气,污染物,是长期老化率±1ppm/year的结构保障.每批产品做抽样氦质谱检漏,微漏产品直接报废.
频率校准与分选.晶片在装入外壳后,与指定负载电容连接测试,通过微调电极(trimming)把频率校准到标称值.这一步就是为什么规格书里必须写明CL——校准是在特定负载下做的,客户必须复现这个负载条件.
老化筛选与终测.成品经过高温老化,温度循环,振动测试,剔除早期失效品.终测逐颗扫描频率,ESR,绝缘电阻,参数分档后编带包装.
整套流程下来,一颗2016晶振的制造周期远长于外观尺寸给人的印象.这也是为什么EPSON,NDK,京瓷,村田这些一线品牌的小封装晶振,价格能比二线品牌贵出30%~100%——成本全在那些规格书不会写,但批量可靠性上会体现出来的工艺控制点里.
六,FA2016AS典型应用场景
1.蓝牙/BLE模块与可穿戴设备
TWS耳机,智能手表,手环,蓝牙耳机,蓝牙Beacon是FA2016AS最典型的应用.2016小封装,0.65mm薄型,低ESR,低CL设计,完美匹配NordicnRF52/nRF53,TICC26xx,RealtekRTL8762,BES2300等主流BLESoC的时钟需求.38.4MHz频点直接作为射频PLL参考,省去外部倍频电路.
2.Wi-Fi/IoT模组
ESP32,ESP32-C3,RTL8710,Hi3861,BK7231等Wi-Fi/IoT模组普遍使用38.4MHz参考晶振.FA2016AS的工业级温漂保证模组在-30℃~+85℃环境下射频频偏不超限,直接决定无线连接距离和稳定性.
FA2016AS-
3.LoRa/Sigfox/NB-IoT低功耗广域网终端
LoRa网关,节点,NB-IoT水表/气表/烟感,电池寿命要求5~10年.低ESR降低振荡功耗,低老化保证长期在线不漂移,-40℃~+85℃覆盖户外露天场景.FA2016AS是这类产品的主流选型之一.
4.Cat.1/4G工业模组
移远EC600,广域N580,中移ML302等Cat.1模组普遍使用26MHz或38.4MHz参考晶振.FA2016AS在38.4MHz频点上的工业RTC计时晶振稳定度,保证模组在野外基站弱信号,温度极端环境下不因为参考频偏超出协议门限而脱网.
5.工业传感器与网关
工厂温湿度传感器,振动传感器,IO-Link从站,工业网关,PLC扩展模块,工作环境从车间到户外,温度跨度大,电磁环境复杂.FA2016AS±12ppm温漂,气密封装,低老化,能扛住这类长期无人值守场景.
6.音频Codec与USB音频
38.4MHz也是高端音频Codec(如ES8388,ALC5686)的常用主时钟MCLK,FSYNC整数分频完美匹配44.1kHz,48kHz采样率.低ESR带来低相位噪声,对音频本底噪声有直接好处.
7.智能家电与消费电子
智能音箱,扫地机器人,空气净化器,智能插座,遥控器,这些产品面板空间紧张,成本敏感,温湿度跨度大.FA2016AS在2016尺寸下兼顾性能和成本,是这类产品的常客.
七,PCB设计与选型避坑指南
锦玉电子在对接客户过程中,总结了FA2016AS选型与PCB设计最常见的8个坑:
只写FA2016AS,不写频点和CL.FA2016AS是封装系列名,必须带频点(38.4MHz/19.2MHz),CL(7pF),公差(±10ppm),温漂等级(F12Y等)才是完整料号.
负载电容不匹配.外部两只电容必须按SoCdatasheet推荐值选取,并扣除走线寄生电容.CL=7pF不是"外部两只7pF电容",而是"等效负载7pF".
走线过长,打过孔.晶振到SoC两个引脚的走线越短越好,单端不超过2~5mm,不打过孔,不走直角,两边等长.过孔和长走线都会引入寄生电容,直接改变实际CL.
晶振下方走高速线/RF线.晶振下方必须铺完整地平面做隔离,下方及旁边禁止走SPI,UART,RF,DCDC开关节点线.否则耦合进来的噪声会调制频率,导致通信距离下降,音频底噪变大.
忽略激励电平.不串Rd限流电阻,或Rd阻值选得太小,导致DL长期贴100μW跑,半年后老化加速.必须按SoC推荐值选Rd,把DL控制在10μW附近.
钢网开孔不当.2016封装焊盘钢网厚度0.12~0.18mm,开孔不要超过焊盘面积100%,否则焊锡过多会对晶片产生应力,温漂异常.
地平面不完整.晶振包地要完整,地线就近接主地,不要让晶振的地平面"飘"在数字地上.
把FA2016AS当TCXO用.FA2016AS是无源晶振,温漂±12ppm是物理极限.如果你的产品需要±2ppm级稳定度(GNSS接收机,精密授时,基站同步),应直接选EPSONTG2016SMN系列TCXO,不要在FA2016AS上指望奇迹.
八,锦玉电子代理服务与供货保障
深圳市锦玉电子有限公司作为EPSON授权代理商,面向国内客户提供:
正规渠道原装正品:直接向EPSON中国/日本总部订货,提供出厂检测报告,批次追溯,ROHS/REACH合规文件.
样品快速申请:研发阶段小批量样品支持,38.4MHz/19.2MHz主力频点常备库存.
选型与替代支持:协助客户对比FA2016AA/AS,X2016,FC-2520,SG-20有源系列,以及与NDK,京瓷,村田,TXC,泰晶等品牌的pin-to-pin替代可行性.
技术FAE对接:起振裕量分析,负载电容反推,PCB布局评审,温度特性测试,可协助客户对接EPSON原厂FAE.
批量备货与交期管理:针对38.4MHz,24MHz,16MHz等高频频点常备库存,紧急订单优先排产.
车规/工业级等级识别:帮助客户区分消费级,工业级,车规级后缀,避免错采导致可靠性测试失败.
无论是IoT方案公司,可穿戴品牌商,无线模组厂,工业设备商,家电厂商,还是科研院所,只要您正在评估EPSONFA2016AS系列晶振,或者需要对比EPSON其他XO/TCXO/RTC产品,欢迎来电咨询:13554885718,锦玉电子技术与销售团队将为您提供从规格解读,样品申请到批量供货的全流程支持.
EPSON爱普生FA2016AS石英晶振深度解析

SG-8018CG 100.0400M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 100.04 MHz
SG-8018CG 19.6870M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 19.687 MHz
SG-8018CG 44.5450M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 44.545 MHz
SG-8018CG 4.9150M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 4.915 MHz
SG-8018CG 4.3000M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 4.3 MHz
SG-8018CG 32.5140M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 32.514 MHz
SG-8018CG 55.5555M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 55.5555 MHz
SG-8018CG 50.0080M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 50.008 MHz
SG-8018CG 23.8040M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 23.804 MHz
SG-8018CG 121.0000M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 121 MHz
SG-8018CG 27.0016M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 27.0016 MHz
SG-8018CG 148.2200M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 148.22 MHz
SG-8018CG 99.9300M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 99.93 MHz
SG-8018CG 14.0500M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 14.05 MHz
SG-8018CG 98.7650M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 98.765 MHz
SG-8018CG 46.495960M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 46.49596 MHz
SG-8018CG 50.0025M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 50.0025 MHz
SG-8018CG 64.5160M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 64.516 MHz
SG-8018CG 0.7840M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 784 kHz
SG-8018CG 100.3120M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 100.312 MHz
SG-8018CG 4.9600M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 4.96 MHz
SG-8018CG 0.9280M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 928 kHz
SG-8018CG 14.2180M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 14.218 MHz
SG-8018CG 19.6800M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 19.68 MHz
SG-8018CG 26.9973M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 26.9973 MHz
SG-8018CG 19.843750M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 19.84375 MHz
SG-8018CG 148.4258M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 148.4258 MHz
SG-8018CG 19.6608M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 19.6608 MHz
SG-8018CG 12.9876M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 12.9876 MHz
SG-8018CG 16.3960M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 16.396 MHz
SG-8018CG 4.8250M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 4.825 MHz
SG-8018CG 26.9900M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 26.99 MHz
SG-8018CG 19.692307M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 19.692307 MHz
SG-8018CG 98.7650M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 98.765 MHz
SG-8018CG 98.3040M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 98.304 MHz
SG-8018CG 32.5710M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 32.571 MHz
SG-8018CG 33.2300M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 33.23 MHz
SG-8018CG 38.9100M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 38.91 MHz
SG-8018CG 32.507937M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 32.507937 MHz
SG-8018CG 4.9150M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 4.915 MHz
SG-8018CG 135.0000M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 135 MHz
SG-8018CG 73.3337M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 73.3337 MHz
SG-8018CG 12.3540M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 12.354 MHz
SG-8018CG 102.4000M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 102.4 MHz
SG-8018CG 4.5160M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 4.516 MHz
SG-8018CG 148.0000M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 148 MHz
SG-8018CG 16.6000M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 16.6 MHz
SG-8018CG 56.0580M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 56.058 MHz
SG-8018CG 122.2000M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 122.2 MHz
SG-8018CG 99.1440M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 99.144 MHz
SG-8018CG 4.9600M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 4.96 MHz
SG-8018CG 134.7840M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 134.784 MHz
SG-8018CG 16.5800M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 16.58 MHz
SG-8018CG 99.751230M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 99.75123 MHz
SG-8018CG 22.597240M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 22.59724 MHz
SG-8018CG 101.2656M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 101.2656 MHz
SG-8018CG 32.7680M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 32.768 MHz
SG-8018CG 4.433619M-TJHPA0 EPSON SG-8018 XO 4.433619 MHz
SG-8018CG 4.7500M-TJHSA0 EPSON SG-8018 XO 4.75 MHz
EG-2121CA 200.0000M-PHPAL3 EPSON EG-2121CA SO SAW 200 MHz

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