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Vectron晶振发布了适用于恶劣环境应用的VS-506高频,低g灵敏度,高冲击性能VCSO

2022-05-30 15:01:56 

VS-506是一款高频压控SAW振荡器(VCSO),具有1.2ppb/g的低g灵敏度性能和>10,000g的高冲击性能。在800MHz至3.0GHz的频率范围内工作,RMS抖动性能在12kHz至20MHz的偏移带宽上为11fsec。

7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±50ppm
7XZ-32.768KDE-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-8.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 8MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±50ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±25ppm
7W-50.000MBA-T TXC 晶振 7W XO 50MHz ±25ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 26MHz ±50ppm
AU-26.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 26MHz ±50ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±25ppm
7C-40.000MBA-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±25ppm
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
6U-16.384MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 16.384MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 125MHz ±50ppm
BF-125.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 125MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 100MHz ±50ppm
BF-100.000MBE-T TXC 晶振 BF XO 100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO 100MHz ±50ppm
BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO 100MHz ±50ppm

Vectron晶振VS-506VCSO(压控锯片振荡器)是一种高频,超低相位噪声和低g灵敏度振荡器设计用于支持恶劣的环境应用。VS-506在12kHz至20MHz集成带宽内提供12fsrms抖动,频率范围为0.8至3.0GHz,采用密封封装。

BX-100.000MBE-T TXC 晶振 BX XO 100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO 100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO 100MHz ±50ppm
CX-100.000MBE-T TXC 晶振 CX XO 100MHz ±50ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7XZ-32.768KBA-T TXC 晶振 7XZ XO 32.768kHz ±25ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-25.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 25MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7W-48.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 48MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBB-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO 11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO 11.2896MHz ±50ppm
AW-11.2896MBE-T TXC 晶振 AW XO 11.2896MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 50MHz ±50ppm
AU-50.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 50MHz ±50ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±25ppm
7X-38.400MBA-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±25ppm
8W-12.000MBA-T TXC 晶振 8W XO 12MHz ±25ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 125MHz ±50ppm
BB-125.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 125MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm

特征:

频率范围:800MHz至3.0GHz

RMS抖动:在12kHz至20MHz范围内为11fs–rms(fN:2.56GHz2x)

g灵敏度:1.2ppb/g

高冲击:>10g

输出:正弦波

电源电压:3.3V~5.0

7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBB-T TXC 晶振 7W XO 4.096MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7W-40.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 40MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO 26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO 26MHz ±50ppm
7C-26.000MBB-T TXC 晶振 7C XO 26MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7C-40.000MCB-T TXC 晶振 7C XO 40MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO 66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO 66.6666MHz ±50ppm
7W-66.6666MBB-T TXC 晶振 7W XO 66.6666MHz ±50ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±25ppm
7W-24.576MBA-T TXC 晶振 7W XO 24.576MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±25ppm
7X-19.200MBA-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±25ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO 161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO 161.1328MHz ±50ppm
BB-161.1328MBE-T TXC 晶振 BB XO 161.1328MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
7X-20.000MBB-T TXC 晶振 7X XO 20MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 33MHz ±50ppm
AU-33.000MBE-T TXC 晶振 AU XO 33MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm
7WA2572007 TXC 晶振 7W XO 125MHz ±50ppm

应用:

航空电子设备

测试与测量

恶劣的环境

6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
6U-32.768MBE-T TXC 晶振 6U VCXO 32.768MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO 62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO 62.5MHz ±50ppm
BF-62.500MBE-T TXC 晶振 BF XO 62.5MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 150MHz ±50ppm
BB-150.000MBE-T TXC 晶振 BB XO 150MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
BR-61.4400MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 61.44MHz ±50ppm
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-12.800MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 12.8MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
7N-26.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 26MHz ±280ppb
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-3.6864MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TC-70.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-19.200MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 19.2MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-3.6864MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 3.6864MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-64.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 64MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm

本出版物中包含的有关设备应用程序等的信息仅为您提供方便,可能会被更新所取代。您有理由确保您的应用程序符合您的规范。MICROCHIP不对信息(包括但不限于其条件,质量)作出任何形式的陈述或保证,无论是明示或暗示,书面或口头,法定或其他方式,性能,适销性或适用性。Microchip不承担因该信息及其使用而产生的任何责任。在生命支持和/或安全应用中使用Microchip设备的风险完全由买方承担,并且买方同意为Microchip进行辩护,赔偿并使Microchip免受此类使用造成的任何和所有损害,索赔,诉讼或费用。除非另有说明,否则不会根据任何Microchip知识产权以暗示或其他方式传达任何许可。

TD-7.3728MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 7.3728MHz ±25ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 32MHz ±50ppm
7W-32.000MBB-T TXC 晶振 7W XO 32MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
7X-19.200MBE-T TXC 晶振 7X XO 19.2MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
8W-26.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 26MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-30.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 30MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±50ppm
7X-25.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 25MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±50ppm
7X-38.400MBE-T TXC 晶振 7X XO 38.4MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±50ppm
7X-48.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 48MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 20MHz ±50ppm
8W-20.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 20MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 13MHz ±50ppm
8W-13.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 13MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 50MHz ±50ppm
7X-50.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 50MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 24MHz ±50ppm
8W-24.000MBE-T TXC 晶振 8W XO 24MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±50ppm
7X-26.000MBE-T TXC 晶振 7X XO 26MHz ±50ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm
TD-4.096MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 4.096MHz ±25ppm

商标

Microchip晶振和Vectron晶振名称和徽标是MicrochipTechnology Incorporated在美国和其他国家/地区的注册商标。

旗下的还有一款9x7mmMX–600是一款超高稳定性微处理器校正晶体振荡器(MCXO),它使用Vectron晶振的补偿算法在–20至70°C的扩展商业温度范围内实现±20ppb的稳定性。MX–600填补了标准TCXO晶振和OCXO产品之间的空白,同时在不牺牲性能的情况下降低了功耗。

TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-33.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-40.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 40MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TD-49.152MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 49.152MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-4.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 4MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TC-16.0972MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16.0972MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-24.576MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TC-24.576MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24.576MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TD-12.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TC-20.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TC-12.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 12MHz ±25ppm
TC-36.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 36MHz ±25ppm
TC-36.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 36MHz ±25ppm
TC-36.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 36MHz ±25ppm
TC-16.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16MHz ±25ppm
TC-16.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16MHz ±25ppm

评估板旨在允许用户使用相同的夹具测试各种行业标准平台尺寸和引脚排列。它将接受多种尺寸的封装:9x7mm(SMD),9x14mm(SMD)13x20mm(SMD&4-pinDIP),20x20(THT),22x25mm(SMD),25x25mm(SMD&THT)和25x37mm(THT)欧洲案例)。该评估板还具有一个螺钉端子块,可为Vsupply和EFC提供外部电压源,以及用于访问DUT的射频信号(CMOS或正弦波)的SMA连接。

TC-16.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 16MHz ±25ppm
TC-22.5792MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TC-22.5792MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TC-22.5792MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TD-24.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TD-24.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TD-24.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TD-1.8432MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TD-1.8432MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TD-1.8432MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
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TD-22.5792MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
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