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VG-4231CE压控晶振Q3614CE00006100非常适用于高端智能手机应用

2022-09-24 15:21:14 锦玉电子

随着现代无线通信系统向高频化,宽带化,便携化方向发展,要求压控晶振频率高,频率范围宽,线性度好,频率稳定性好,频率牵引误差小,噪声低,封装尺寸小等特点,爱普生晶振公司旗下其推出的VG-4231CE压控晶振,具有频率范围宽快速响应,低消耗电流,封装尺寸小等特性,非常适用于无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,工业电子,汽车电子,消费电子,通信设备领域,该产品电源电压最大分别为3.3V±0.3V,3.3V±0.165V和5.0V±0.5V,它们都为低电流消耗类型,该系列在无负载情况下消耗电流最小仅为1.2mA。

VG-4231CE压控晶振Q3614CE00006100非常适用于高端智能手机应用

压控晶体振荡器 型号 频率 尺寸 输出波 电源电压
Q3614CE00000600 VG-4231CE 27.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 1.600 to 2.000V
Q3614CE00001100 VG-4231CE 27.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00001200 VG-4231CE 27.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00001300 VG-4231CE 24.576000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 1.600 to 2.000V
Q3614CE00002300 VG-4231CE 24.576000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00002400 VG-4231CE 16.384000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00002700 VG-4231CE 17.734475MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00002900 VG-4231CE 24.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00003100 VG-4231CE 36.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00004100 VG-4231CE 25.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00004300 VG-4231CE 32.768000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 2.600 to 3.000V
Q3614CE00004400 VG-4231CE 25.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00004600 VG-4231CE 12.288000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00006000 VG-4231CE 11.289600MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00006100 VG-4231CE 32.768000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00006200 VG-4231CE 24.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V

VG-4231CE

Q3614CE00006600 VG-4231CE 28.636360MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 1.600 to 2.000V
Q3614CE00007100 VG-4231CE 32.768000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00007200 VG-4231CE 12.288000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00008000 VG-4231CE 16.777216MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00008100 VG-4231CE 12.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00008200 VG-4231CE 24.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 1.600 to 2.000V
Q3614CE00008300 VG-4231CE 25.165800MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 1.600 to 2.000V
Q3614CE00009400 VG-4231CE 9.600000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 2.600 to 3.000V
Q3614CE00009500 VG-4231CE 32.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00009700 VG-4231CE 25.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 1.600 to 2.000V
Q3614CE00009800 VG-4231CE 13.560000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V
Q3614CE00009900 VG-4231CE 12.000000MHz 3.20x2.50x1.05mm CMOS 3.000 to 3.600V

VG-4231CE压控晶振Q3614CE00006100非常适用于高端智能手机应用

VG-4231CE压控晶振工作电流分别低至10mA和15mA,使其功耗大大降低,爱普生独有的输出使能功能OE提高了其精度,也实现了低抖动,低相位噪声的特点,其小尺寸的封装在产品使用过程中不会占用过多空间位置,大大满足了不同产品对安装空间的需求,可以适用于多种场合,具有很好的稳定性,在25℃的标准条件下,频率老化为±5×10-6/5年,压控晶振输出信号采用标准CMOS输出,输出负载15pF,且上升/下降时间仅4ns,抗干扰性能好,波形质量高,十年频率老化率仅±10ppm,可以长期保障频率稳定性。



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