ACT晶振,1016 SMX‐4晶振,低老化率晶体

当前位置：首页 » 欧美进口晶振 » ACT晶振 » ACT晶振,贴片晶振,1016 SMX‐4晶振,低老化率晶体

prevnext

ACT晶振,贴片晶振,1016 SMX‐4晶振,低老化率晶体

频率：24.0MHz - 54.0MHz

尺寸：1.6 x 1.2mm

小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.

订购热线：0755-29952090

ACT晶振,贴片晶振,1016 SMX‐4晶振,低老化率晶体,小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应24.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

贴片晶振采用了多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器必须攻克的关键技术之一。选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的附着力增强，频率更加集中，那么如何把晶片能控制在1000ppm之内呢。

ACT晶振规格	单位	1016 SMX‐4晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	24.0MHz - 54.0MHz	标准频率
储存温度	T_stg	‐45°C ~ +85°C	裸存
工作温度	T_use	‐20°C - +70°C, ‐30°C - +85°C, ‐40°C -+85°C	标准温度
激励功率	DL	100µW	推荐:1µW
频率公差	f_— l	±10.0ppm - ±50.0ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jyyshkj.com/
频率温度特征	f_tem	-0.034±0.008ppm	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8.0pF - 12.0pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±2× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

1016-SMX-4 1612

如图2所示，包含电源和波形发生器的测试装置是一种可控测试方法，用于评估有源晶体的PSNS性能。波形发生器以指定的电压和频率添加系统噪声，以测量电源噪声对振荡器抖动的影响。0中的曲线显示积分相位抖动与电源开关噪声频率的函数关系，峰峰值电源噪声为50 mV，比较了各种石英晶体振荡器与LVCMOS输出的ACTMMD MEMS振荡器的结果。如图所示，ACTMMD的MEMS振荡器抖动在所有噪声频率中都较低。其原因是内置于ACT MMD振荡器电路中的降噪电路可以保护振荡器免受电源引起的抖动。ACT晶振,贴片晶振,1016 SMX‐4晶振,低老化率晶体

外部EMI噪声

要考虑的另一个重要噪声源是外部产生的EMI噪声，这会影响贴片型OSC振荡器的性能（与时钟源发出的EMI信号相反）。电源，电源线，雷电，计算机设备和电子元件都是外部产生EMI的潜在来源，可通过辐射将其耦合到系统中。EMI是无源光网络（PON），蜂窝基站等应用中的主要关注点，以及许多用于存在大型电磁源的户外环境的产品。在具有多个开关电源的密集电子板中，EMI也是一个问题，因为振荡器元件可以靠近这些电源放置。入站EMI可以改变时钟抖动，并且在灾难性情况下，甚至是时钟设备的工作频率，都会对依赖于时钟信号的系统的功能产生负面影响，从而实现可靠的性能。存在输入EMI时，相位抖动和相位噪声会显着增加，尝试滤除到达振荡器的噪声并不总是成功。另一种方法是设计成功抑制EMI的时钟设备。电磁敏感度或EMS可量化EMI对电子电路（如振荡器）的有害影响。另一种方法是设计成功抑制EMI的时钟设备。电磁敏感度或EMS可量化EMI对电子电路（如振荡器）的有害影响。另一种方法是设计成功抑制EMI的时钟设备。电磁敏感度或EMS可量化EMI对电子电路（如振荡器）的有害影响。

EMS可以按照EMC标准IEC EN61000-4.3中规定的程序进行测量。本标准规定了在80 MHz至1 GHz的频率范围内以3％递增步长的3 V / m的辐射电磁（EM）场。被测设备位于一个经过校准的消声室中，其位置与垂直极化天线的轴线对齐，如图4所示。相位噪声分析仪和高精度，低噪声数字信号分析仪捕获振荡器相位噪声。电磁场引起噪声杂散，并且杂散的平均功率提供振荡器的EMS的度量。

关于多个石英和ACT MMD MEMS振荡器的数据说明了EMI对差分和单端振荡器的影响（图5和图6）。ACT MMD MEMS振荡器的性能优于竞争石英晶体和MEMS的振荡器。这些结果强调理解性能和运行环境之间关系的重要性。

有关振荡器EMS性能测试条件和实验结果的详细信息，请参见“MEMS和石英振荡器的电磁敏感性比较”[2]。ACT晶振,贴片晶振,1016 SMX‐4晶振,低老化率晶体

许多电子产品在使用过程中受到相当大的振动力。尤其适用于口袋或背包携带的便携式移动设备。电子移动GPS装置，工业设备或航空航天应用可能会经受更高水平的振动。即使是固定式产品也可能会受到附近风扇或其他设备的振动。

由于所使用的机械装配和包装，石英振荡器可能对振动显示出明显的敏感性。ACTMMD的MEMS FirstTM技术0生产的MEMS谐振器本质上更能抵抗振动引起的性能下降，这有两个原因。首先，硅谐振器的移动部分具有比石英晶体谐振器小得多的质量。这减少了由振动引起的加速度施加到谐振器的力。其次，硅MEMS谐振器是非常坚硬的结构，其在平面内振动，并因此抵抗由振动力引起的移动。

通过在与机械振动相同的频率下产生电子签名，振动会降低振荡器性能，引起频率尖峰或增加相位抖动或宽带噪声。机械力也可能损坏物理谐振器结构。由于振荡器响应取决于外部机械力的方向，严重程度和频率，查看几种不同类型测试的结果可以最全面地了解振荡器的弹性。

第一个测试是通过观察发生在特定频率的杂散相位噪声或杂散杂散来评估对正弦振动的响应。该相位噪声被转换为调频（FM）噪声，并归一化为1g振动加速度的载波频率。结果以十亿分之一/克（ppb / g）表示为振动频率的函数。测量设置包括控制器，功率放大器和振荡器。

正弦振动测试包括振动频率范围从15赫兹到2千赫，峰值加速度为4克，代表振动器在现场经历的振动力。振荡器在x，y和z轴上受到振动，报告的结果是三个方向上观测到的最高噪声响应。

图7显示了基于石英，SAW和MEMS的差分晶体振荡器的振动灵敏度结果。ACTMMD MEMS振荡器的性能优于其他器件10到100倍。ACT晶振,贴片晶振,1016 SMX‐4晶振,低老化率晶体