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IDT晶振,贴片晶振,8N0QV01晶振

频率:5.476~260MHz

尺寸:5.0*7.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

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1IDT晶振,贴片晶振,8N0QV01晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗.

有源晶振频率越高一般价格越高。但频率越高,频差越大,从综合角度考虑,一般工程师会选用频率低但稳定的晶振,自己做倍频电路。总之石英晶振是根据需要去选择合适的频率,并不是晶振频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz的恒温晶振(OCXO),因其有很好的频率稳定性,属于高端晶振。至于范围,晶振的频率做的太高的话,就会失去意义,因为有其他更好的晶振频率产品代替。产品频率范围是:25kHz-1.3G,基本上所有应用中的晶振都可以在产品中找到。

2

型号

8N0QV01(VCXO)

输出频率范围

5.476~260MHz

电源电压范围

2.5 to 3.3V

电源电压(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗电流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz/+2.5mA max.f60MHz

待机时电流

-

输出电压

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

输出负载

10kΩ//10pF

频率稳定度

常温偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

温度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

电源电压特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

负载变化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

长期变化

±1.0×10-6 max./year

频率控制

控制灵敏度

±3.0×10-6?±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC+2.6V
±3.0×10-6
?±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V

频率控制极性

正极性

3

8N0QV01-7050 VCXO


4   大家都知道晶振其实分为很多的类别,比如陶瓷谐振器,以及石英晶体谐振器石英晶体振荡器,那么石英晶体振荡器又称呼为有源晶振,何为有源晶振?有源的意思就是带有电压功能,是只产品在使用过程中首先需要通过电压起振,一般有源晶振的电压在3.3V-5V之间。其实有源晶振在细分的情况下又能分成压控振荡器(VCXO)以及温补晶振(TCXO)这两者又可以合并为压控温补晶振(VC-TCXO),压控晶振的原理简单的说就是产品在工作过程中有一个电压稳定控制功能,当石英晶振在使用过程中遇到电压变大或者变小的情况下,产品可以在自带电压功能的情况下把电压控制在可接受范围,以及控制振荡器的PPM精度,不超出在需要的频率内,使其能够稳定的给CPU提供精准信号,这就是压控振荡器的主要特点。

当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象。 IDT晶振,贴片晶振,8N0QV01晶振.

5IDT晶振环保方针:

IDT 晶振集团运用ISO14001环境管理系统进行环境管理,尽最大可能减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.

IDT 晶振集团环保基本理念:

1.作为良好的企业市民,遵循本公司的行动方针,充分关心维护地球环境.遵守国内外的有关环保法规.

2.保护自然环境,充分关注自然生态等方面的环境保护,维持和保全生物多样性.

3.有效利用资源和能源,认识到资源和能源的有限性,努力进行有效利用.

4为构建循环型社会做出贡献,致力于减少晶体振荡器,有源晶振,石英晶振,贴片晶振废弃物及废弃物的再利用核再生循环,努力构建循环型社会.

5.推进环保型业务,充分发挥综合实力,推进环保型业务,为减轻社会的环境负荷做出贡献.

6.建立环境管理系统,充分运用环境管理系统,设定环境目的和目标,定期修正,不断改善,努力预防环境污染.

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