KC2016B_C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振,SPXO振荡器

当前位置：首页 » 日产进口晶振 » 京瓷晶振 » 京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B_C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

prevnext

京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B_C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

频率：1.5~50MHz

尺寸：2.0*1.6mm

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用.

订购热线：0755-29952090

京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B_C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。

项目	符号	KC2016B_C1晶振规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1.5~50MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -10℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com
		H: -40℃ to +105℃

频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。

晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
京瓷晶振环保方针：

将对于防止全球变暖、节能、节省资源、削减有害物质做出积极贡献的产品定为“环保商品”，并针对所有产品设定了以环境友好理念为基础的评价基准。通过这些努力，在2015年度，环保商品的比例达到了99%。今后，京瓷晶振集团将继续开展相关活动，为提供更多环境友好型产品而努力。

京瓷晶振全体员工都积极地投身环保活动,希望能够在兼顾环保性和经济性的同时,实现可持续发展。尤其是在节能、温室效应对策方面,引进节能设备、安装太阳能发电系统、实施墙面绿化等开展了一系列节能活动。此外,还开展了保护生物多样性等活动。京瓷晶振,贴片晶振,KC2016B_C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振.