ACT晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体

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ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体

频率：16.00MHz-62.50MHz

尺寸：2.0 x 1.6mm

智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-29952090

ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体,2025石英晶振，2016晶振，1612贴片晶振系列，其产品晶体晶片采用了真空退火技术：高真空退火处理是消除在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，通过合理的真空退火技术可提高产品的主要参数的稳定性，提高产品的年老化特性。

ACT晶振规格	单位	2016H SMX‐4晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16.00MHz - 62.50MHz	标准频率
储存温度	T_stg	‐55°C - +125°C	裸存
工作温度	T_use	‐40°C ~ +85°C	标准温度
激励功率	DL	100µW	推荐:1µW
频率公差	f_— l	±10.0ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明,请联系我们以便获取相关的信息,http://www.jyyshkj.com/
频率温度特征	f_tem	-0.034±0.008ppm	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8.0pF - 16.0pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±1× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

2016H-SMX-4 2016

第二次振动测试产生的加速度为7.5 g rms，如MIL-STD 883F所定义的随机振动，它模拟恶劣的操作环境。结果以时域中的感应相位抖动的形式报告，通过在15Hz到10kHz的偏移频率上对感应相位噪声进行积分来计算。数据（见图8）显示了广泛的回应。ACTMMD MEMS振荡器胜过所有其他设备，表明它对随机振动相对不受影响。ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体

ACT MMD MEMS振荡器对冲击影响也不敏感，这是耐机械力的第三项测试。突然冲击往往会导致振荡器频率的瞬态偏差。ACTMMD测量了基于石英和MEMS的振荡器对加速度为500 g的1 ms半正弦波冲击脉冲的响应。图9中的结果显示，尽管大多数器件表现出显着的频率偏差，但ACT MMD MEMS的频率偏差小于1 ppm。

有关振荡器冲击和振动性能比较测试条件和实验结果的详细信息，请参见“MEMS和石英振荡器的冲击和振动性能比较”[3]。

可靠性

量化组件可靠性的一种方法是预测平均故障间隔时间（MTBF）。对于半导体元件而言，这与时间失效率（FIT）的倒数相反，表示为10亿个工作小时后的统计预期故障数。MTBF越高，设备的预期寿命越长，因此设备越可靠。FIT率较低表示预期故障数量少，可靠性高。

ACTMMD通过对振荡器进行长时间高温高压下的压力测试来计算FIT。强调成千上万个振荡器的累积测试时间超过两百万个设备小时不会导致故障。根据这些结果，ACTMMD的MEMS振荡器的计算可靠率小于1 FIT，相当于10亿小时的MTBF。有关计算FIT率和MTBF方法的详细信息，请参见“ACT MMD振荡器的可靠性计算”[4]。

图10包括来自不同制造商的振荡器的MTBF报告，显示ACTMMD的基于MEMS的振荡器比石英晶体振荡器更可靠。ACT晶振,贴片晶振,2016H SMX‐4晶振,射频时钟晶体