SiT1630专为电池供电应用优化的32.768kHz振荡器
SiT1630专为电池供电应用优化的32.768kHz振荡器
在移动智能终端,TWS耳机,智能穿戴,便携医疗,电池供电物联网终端,工业数据记录仪等赛道,续航,体积,可靠性三大指标,长期制约产品迭代速度.整机功耗管控,不只是MCU,射频芯片,传感器的优化,休眠时钟(32.768kHzRTC时钟源)往往是决定待机续航时长,定时唤醒精度,长期计时稳定性的底层核心器件.传统石英32.768kHz谐振器,历经数十年应用,已经暴露一系列难以规避的短板:石英晶体本身易碎,抗振动冲击性能差,需要配套外部负载电容,PCB布局约束严苛,温漂离散性大,来料一致性不稳定,回流焊后频漂不可控,老化速率参差不齐,很多穿戴与微型IoT产品在量产阶段,常常因为石英晶振批次差异,出现走时偏差,蓝牙同步异常,休眠唤醒失效,高低温环境下时钟停振等问题,给研发调试,产线校准,售后返修带来巨大成本压力.
锦玉电子作为SiTime授权代理商,长期服务消费电子,智能穿戴,音频,医疗,工业IoT客户,大量交付SiT1630样品与批量订单,见证这款器件在各类电池供电产品中落地.本文将从行业痛点,MEMS技术原理,SiT1630完整规格拆解,电气特性,可靠性对比,电路设计要点,细分应用场景,选型方案,量产注意事项,供应链配套等维度,全方位解析SiT1630,为硬件工程师,结构工程师,采购负责人提供详实选型参考.
第一章电池供电设备对32.768kHz时钟源的核心诉求
32.768kHz是RTC领域的经典基准频率,来源于2的15次方,分频之后精准得到1Hz秒脉冲,是实时时钟,定时唤醒,时间戳记录,蓝牙时序同步,传感器间歇采样的标准时钟基准.凡是依靠纽扣电池,锂电池,超级电容供电,需要长时间休眠待机的设备,都离不开这颗低速时钟.我们先梳理电池供电产品对32.768kHz时钟的硬性要求,以此理解SiT1630的设计初衷.
第一,极致低功耗,优先压低休眠态电流.绝大多数电池供电设备,95%以上时间处于休眠状态,MCU,蓝牙芯片,传感器全部下电,仅保留RTC时钟持续运行,负责定时唤醒.休眠电流直接决定产品续航.一款容量有限的纽扣电池,容量通常只有几十毫安时,如果RTC时钟静态电流达到几微安甚至十几微安,产品续航会直接腰斩.因此,μA级甚至亚μA级的工作电流,是选型第一门槛.传统无源石英晶振,依靠芯片内部振荡电路起振,虽然标称功耗低,但振荡电路本身功耗受芯片工艺,PCB寄生电容影响波动很大;而SiT1630作为有源振荡器,内部集成振荡与偏置电路,功耗指标可控,参数稳定,典型电流1.0μA,在25℃常温,空载条件下稳定运行,不同温度区间功耗曲线可控,方便工程师精准做整机功耗预算.
第二,宽电压适配,兼容多样化电池体系.纽扣电池,一次性锂锰电池,可充电锂电池,超级电容备份电源,电压区间差异巨大.纽扣电池满电3V,随着放电逐步跌到2.0V以下;锂电池充满4.2V,经过LDO降压后常用1.8V,2.5V,3.0V;超级电容电压波动范围更大.很多传统32k晶振配套振荡电路,电压窗口窄,电压偏低时容易停振,频漂恶化.SiT1630支持1.5V至3.63V全范围稳定工作,覆盖市面上绝大多数电池与备份电源方案,不需要额外增加稳压电路,降低BOM成本,节省PCB面积SiTime.
第三,紧凑封装,适配微型化结构.TWS耳机,智能戒指,微型血糖传感器,便携追踪标签等产品,内部空间寸土寸金,PCB布线空间极其紧张.传统32.768kHz圆柱石英晶振体积偏大,贴片音叉晶振也需要预留匹配电容焊盘,占用额外面积.SiT1630主推2.0×1.2mm2012晶振封装,体积小巧,同时SOT23-5封装版本适合工业,消费类兼容直插替换的方案,兼顾微型化和兼容性.
第四,优异的温度稳定性与老化指标.户外IoT,穿戴设备,便携医疗设备,工作环境温度跨度很大,冬天低温,夏天暴晒,温度波动会带来时钟频率漂移.如果时钟温漂过大,会出现走时越来越快/慢,定时唤醒时间偏差,蓝牙时钟同步丢包.SiT1630提供多档稳定度规格:常温回流焊后初始公差典型±20ppm;-10℃~+70℃区间±75ppm;-40℃~+85℃±100ppm;最高规格支持-40℃~+105℃±150ppm,满足消费,工业宽温需求;年老化典型仅±1ppm,长期使用走时漂移很小,大幅降低出厂校准压力.
第五,高抗振,高可靠性,适配移动佩戴场景.穿戴设备,运动相机,便携记录仪长期承受跌落,振动,冲击.石英音叉晶体依靠机械谐振,内部石英薄片脆弱,剧烈冲击下极易停振,频漂突变,是很多手环,耳机返修的隐形元凶.MEMS硅结构在硅片上光刻成型,结构强度远高于石英,抗冲击,抗振动性能先天优势明显,适合运动,随身,户外场景.
第六,简化外围电路,降低设计难度与量产风险.无源石英晶振最大的麻烦点在于负载电容匹配.负载电容取值,PCB走线寄生电容,芯片内部电容,三者共同决定振荡频率.工程师经常反复调试电容值,不同板厂,不同批次PCB寄生参数不一致,导致同一套方案在不同产线出现频偏差异;布局靠近射频,电源走线还容易受到干扰,出现不起振.SiT1630是有源振荡器,LVCMOS输出,不需要外部负载电容,内置电源滤波,省去VDD旁路电容,引脚简单,减少外围器件数量,BOM精简,规避电容匹配调试难题,一次布线即可稳定起振,大幅缩短项目开发周期,提升量产良率.
第二章MEMS计时技术:区别于传统石英晶振的底层革新
想要看懂SiT1630的优势,首先要理解SiTimeMEMS振荡器和传统石英晶振的技术路线差异.传统石英晶振的核心是天然石英晶体,利用石英材料的压电效应,切割加工成特定音叉形状,封装之后依靠外部振荡激励电路产生谐振.石英属于天然材料,切割,研磨,封装工艺离散性高,批次之间参数差异很难消除;石英薄片机械强度弱,对应力,温度,冲击敏感;无源晶振必须依赖外部振荡放大器才能工作,系统复杂度高.
SiTime晶振,核心谐振单元是在标准CMOS硅晶圆上,通过光刻,刻蚀工艺加工出来的硅微机械谐振结构,属于半导体工艺.整套器件把MEMS谐振器,振荡驱动电路,温度补偿电路,输出缓冲电路集成在单一封装内部,直接输出稳定时钟信号,也就是常说的有源振荡器(XO).
这套半导体工艺带来几个根本性优势:
半导体级一致性:在硅晶圆上批量刻蚀谐振结构,同一片晶圆,同一批次的器件参数离散度远低于石英,来料一致性高,减少产线校准工作量;
抗应力,抗冲击,抗振动:硅MEMS谐振结构一体成型,没有脆弱的石英薄片,耐受跌落,持续振动,适合穿戴,车载便携,户外物流追踪;
工艺可扩展,规格可编程:SiTimeMEMS平台支持输出频率,稳定度,功耗,输出类型的差异化配置,SiT1630衍生规格丰富,覆盖不同温度等级,精度等级;
和SMT产线兼容:MEMS器件回流焊耐受性更好,石英晶振在高温回流焊过程中容易引入应力,造成频漂,MEMS器件回流焊后频漂可控,初始公差指标稳定;
供应链可控:石英晶振供应链分散,原材料,切割封装产能波动大;SiTime依托半导体制造体系,量产交付稳定,锦玉电子作为授权代理,可稳定承接样品,小批量,大批量订单,保障客户交期.
需要明确区分:SiT1630是有源MEMS振荡器,不是无源谐振器.无源晶振只提供谐振元件,振荡电路在MCU内部;有源振荡器内部自带全部振荡驱动电路,上电就输出标准LVCMOS时钟,对主控芯片的依赖更低,兼容性更强,几乎所有自带RTC模块,支持外部32k时钟输入的MCU都可以直接对接使用.
SiTimeMEMS计时产品线丰富,覆盖kHz级低功耗RTC时钟(SiT1630,SiT1532等),MHz通用振荡器,TCXO,VCXO,OCXO,覆盖消费,工业,车载,通信全场景,而SiT1630专门定位电池供电低功耗赛道,是SiTimeMpower系列低功耗32kHz振荡器主力型号之一,主打性价比,易用性,稳定供货,是替换传统32.768kHz音叉石英晶振的优选方案SiTime.
第三章SiT1630核心参数,电气规格与版本选型详解
SiT1630支持两种输出频率:32.768kHz(主流RTC应用)以及16.384kHz,本文重点围绕32.768kHz版本展开.下面对关键规格逐条拆解,方便工程师做方案评估.
3.1基础电气参数汇总
输出频率:32.768kHz/16.384kHz
供电电压VDD:1.5V~3.63V,支持纽扣电池,LDO输出,锂电降压供电
典型工作电流:25℃,1.5~3.3V,空载条件下1.0μA;-10~70℃最高1.3μA;-40~85℃最高1.4μA;-40~105℃最高2.8μA;功耗随温度升高小幅上升,指标明确,方便功耗仿真计算
输出类型:LVCMOS,兼容绝大多数MCU,RTC芯片外部时钟输入引脚
初始频率公差(回流焊之后,25℃):±20ppm
全温稳定度档位:±75ppm(-10~70℃),±100ppm(-40~85℃),±150ppm(-40~105℃)
年老化率:典型±1ppm,长期计时漂移极低
启动时间:≤300ms(25℃)
RMS周期抖动:35ns,低抖动输出,保障时序同步稳定
封装选型:2.0×1.2mm(2012贴片封装,4引脚);SOT23-5封装
环保等级:无铅,满足RoHS,REACH规范,符合国内以及出口电子产品环保要求
内置功能:集成电源滤波电路,无需外部VDD旁路电容;内置输出缓冲,无需外接负载电容
3.2多规格选型逻辑,匹配不同产品定位
很多工程师会疑惑,SiT1630有±75ppm,±100ppm,±150ppm三档稳定度,该如何选择?
±75ppm,-10℃~+70℃版本:面向常规室内消费电子,TWS耳机,普通智能手环,智能家居晶振传感器,室内蓝牙标签,环境温度温和,成本最优,绝大多数消费类项目首选;
±100ppm,-40℃~+85℃版本:工业IoT,智能水表气表,户外资产追踪,运动穿戴,便携记录仪,需要承受高低温环境,是工业便携类最常用规格;
±150ppm,-40℃~+105℃版本:高温场景,靠近热源的便携设备,车载附件,高温工业采集终端,极限宽温工况选用.
如果产品对走时精度要求极高,比如医用监测设备,高精度数据记录仪,日计时误差要求严格,除了SiT1630之外,SiTime还有更高精度的32kHzMEMS型号可以搭配选型,锦玉电子技术团队可以根据精度预算,功耗预算提供对比方案.
封装选择上:2012(2.0×1.2mm)贴片版本优先用于空间紧张的TWS,智能戒指,微型传感器;SOT23-5引脚间距更大,焊接工艺门槛更低,适合传统PCB,兼容原有直插石英的改版项目,产线焊接良率更容易把控.
3.3电压与功耗特性深度解读
1.5V最低工作电压是SiT1630非常亮眼的设计点.很多纽扣电池随着放电,电压会持续下降,当电压跌到2.0V以下时,传统无源石英方案经常出现起振不稳,时钟停摆,设备丢失时间.SiT1630在1.5V低压下依然可以稳定维持32.768kHz输出,充分榨干纽扣电池剩余容量,延长设备整体使用寿命,降低电池更换频率,对于一次性电池供电的资产标签,一次性医疗传感贴片价值突出.
同时要注意功耗曲线:低温环境功耗更低,高温环境功耗上升.在做电池寿命测算的时候,不能只拿25℃典型1.0μA计算,需要结合产品实际工作温度区间,取最大电流做保守估算,避免样机续航测试达标,批量到高温环境续航不及预期.锦玉电子可以向客户提供完整datasheet,IBIS模型,功耗曲线图,供给仿真团队使用.
3.4输出特性与接口匹配
LVCMOS输出电平跟随VDD变化,VDD=1.8V时,输出高电平接近1.8V;VDD=3.0V时输出高电平接近3.0V,天然匹配同电压域的MCUIO口.输出驱动能力充足,可以直接驱动RTC时钟输入引脚,不需要串联电阻.只有在走线很长,存在明显反射干扰的特殊场景,才需要增加小阻值串联电阻,常规设计直接直连即可.
这里对比无源石英方案:无源晶振的两个引脚是模拟振荡节点,走线不能走射频线旁边,不能大面积铺铜,布线限制极多;SiT1630是数字时钟输出,CLK引脚属于数字信号,布线约束宽松很多,和蓝牙天线,传感器走线共存时,调试难度大幅下降,降低EMI调试压力.
第四章SiT1630典型硬件电路设计,PCB布局指南
得益于有源一体化设计,SiT1630外围电路极简,这也是它区别于石英晶振最大的设计优势.我们给出标准参考电路和布局规范,方便硬件工程师直接复用.
4.1标准电路连接
SiT1630引脚定义(20124pin版本):VDD,GND,CLK_OUT,NC空脚.
VDD:接电池或者LDO输出电源(1.5~3.63V);器件内部自带电源滤波,不需要在VDD引脚额外放置0402/0603旁路电容,省去一颗电容;
GND:直接连接系统地,就近接地;
CLK_OUT:连接MCU或者RTC芯片的32kHz外部时钟输入引脚;
NC:悬空处理,禁止接地或者接电源.
重点提醒:无源石英方案必须在两个振荡引脚分别接负载电容到GND,电容值根据负载参数6pF~12pF调试;SiT1630不需要任何负载电容,CLK_OUT直接接主控输入即可,不要额外增加电容到地,否则会造成信号畸变,抖动恶化,异常停振.
SOT23-5版本引脚逻辑一致,VDD,GND,CLK_OUT,其余空脚,同样无需外部电容.
4.2PCB布局建议
SiT1630尽量靠近MCU的32k时钟输入引脚,CLK_OUT走线尽量短,减少寄生电容和干扰;但相比无源晶振,它对走线长度容忍度高很多;
GND引脚就近打地孔,接入完整地平面,保证地电位稳定;
器件下方可以铺地,不需要避开铺铜,无源石英晶振下方通常要求挖空地平面防止寄生电容,这条限制在SiT1630上不存在;
CLK_OUT走线尽量远离大功率开关电源,DCDC电感,蓝牙射频天线,高速信号线,避免强干扰串入时钟线路;虽然抗干扰优于石英,但低速时钟信号依然敏感;
器件放置避开PCB边缘,应力集中区域,减少组装,外壳挤压带来的机械应力;MEMS器件抗应力优于石英,但过大的机械应力依然会带来微小频漂;
回流焊曲线遵循标准无铅锡膏工艺,峰值温度不超过260℃,SiT1630对回流焊工艺兼容性好,不会像部分石英晶振,高温后频漂大幅偏移.
4.3常见设计误区避坑
误区1:沿用无源晶振习惯,在CLK_OUT对地增加负载电容.后果:波形畸变,时钟不稳定,停振;误区2:VDD引脚额外增加大容量滤波电容.虽然不会直接损坏器件,但属于冗余设计,浪费PCB面积,违背简化BOM初衷;误区3:把CLK_OUT接到MCU的晶振振荡输入对(XTAL_IN/XTAL_OUT差分引脚).很多MCU有两组32k接口:一组是无源晶振振荡对,一组是外部单端时钟输入.SiT1630是单端LVCMOS输出,只能接入EXT_CLK输入引脚,不能接入XTAL振荡差分引脚,接入振荡对会导致电路异常;误区4:供电电压低于1.5V使用.SiT1630最低额定电压1.5V,低于该电压,振荡器可能无法起振,不支持1.2V低压版本选型(低压版本可以咨询锦玉电子选型其他SiTime型号).
第五章SiT1630在各类电池供电细分场景落地应用解析
SiT1630的定位清晰:面向一切依靠电池供电,需要RTC实时时钟,定时唤醒功能的设备.下面结合当下主流赛道,拆解应用价值,落地案例,替换收益.
5.1TWS蓝牙耳机,助听器,音频穿戴设备
TWS蓝牙耳机晶振是典型微型电池产品,单耳电池容量往往只有几十毫安时,待机续航,通话续航,降噪功耗是核心指标.耳机休眠的时候,蓝牙芯片进入深度睡眠,依靠32k时钟维持定时唤醒,时间同步,通话计时,ANC降噪时序校准.传统石英音叉晶振体积大,抗摔差,耳机跌落之后偶发走时异常,左右耳时钟不同步,蓝牙断连.
SiT16302012小封装适配耳机狭小PCB;μA级休眠电流,把休眠功耗压到最低;抗振动冲击强,适配耳机日常跌落;免负载电容设计,简化耳机高密度PCB布线,音频工程师不用反复调试匹配电容.除TWS之外,骨传导耳机,助听设备,语音拾音器,同样需要稳定低功耗32k时钟源,保障语音时序,波束成形时序稳定.锦玉电子已经给多家音频方案商供应SiT1630样品做方案验证.
5.2智能穿戴:智能手表,手环,智能戒指,健康监测贴片
智能手环,手表,戒指常年佩戴,振动,磕碰频繁,电池容量有限,RTC时钟全年不间断运行,直接影响手表待机时长,睡眠监测,心率采样定时,GPS时间戳记录.很多穿戴产品售后故障里,一部分隐性故障来自石英晶振受冲击停振,时间归零.
SiT1630硅MEMS结构抗振抗冲击,年老化仅±1ppm,长时间佩戴走时误差可控;宽电压适配可充电锂电池供电系统;2012超小封装,满足智能戒指这类极致微型化硬件的空间要求.连续血糖监测CGM,心电贴片这类便携医疗传感设备,依靠32kHz时钟定时采集生物信号,时间戳精度关系到医疗数据有效性,SiT1630稳定的时钟输出,保障采样间隔均匀,数据可信.医疗类项目选型时,锦玉电子可同步提供器件可靠性报告,规格书,配合客户做注册资料准备.
5.3移动物联网资产标签,蓝牙Beacon,无源传感标签
蓝牙AOA标签,物流追踪标签,冷链温度记录仪,货架传感标签,大量使用一次性纽扣电池供电,项目诉求是电池续航达到3~5年.设备绝大多数时间休眠,每隔几秒或者几分钟唤醒一次,广播蓝牙数据包,采集温度.休眠电流每增加1μA,电池寿命就会缩短非常多.SiT1630典型1.0μA工作电流,是长续航标签的优选;1.5V低压工作能力,可以把纽扣电池用到电压下限,最大化电池寿命;宽温版本支持冷链,户外露天环境,-40℃低温下稳定输出时钟,北方冬季,冷库场景不会时钟失效.
5.4智能表计:水表,气表,热表,便携式数据采集仪
工业智能水表,燃气表大多电池供电,使用寿命要求6年以上,长期户外安装,温差大,潮湿,振动环境.表计内部RTC时钟用于抄表时间记录,阀控定时,事件日志时间戳.传统石英晶振在北方冬季低温频漂恶化,走时偏差大,影响计费日志准确性.SiT1630-40~85℃宽温版本,温漂指标可控,抗环境干扰,SOT23-5封装版本适合传统表计PCB改版替换,硬件改动量小,方案迭代成本低.便携式工业记录仪,手持测温仪,巡检终端同样适用.
5.5电子书阅读器,平板配件,便携拍摄设备
电子书,运动相机,便携记录仪,关机之后依然需要RTC维持系统时间,下次开机不用重新校时.这类产品锂电池供电,电压区间匹配SiT1630,休眠阶段时钟持续运行,不占用主电源大电流,提升用户体验.
5.6智能家居电池类传感器:门窗磁,人体红外,漏水传感器
智能家居无源传感器,电池供电,休眠等待触发,依靠32k时钟做定时自检,上报心跳.传感器PCB空间小,元器件密度高,SiT1630精简外围,减少器件数量,BOM清单更短,降低物料采购管理成本.
第六章SiT1630对比传统无源32.768kHz石英音叉晶振,综合收益评估
很多采购和工程师关心:换成SiT1630MEMS有源振荡器,除了性能提升,BOM成本,生产成本,研发成本变化如何?我们做一个综合对比,客观分析替换收益. 从BOM物料清单来看:无源石英晶振本身单价低,但是需要搭配两颗负载电容,部分方案还要增加电源滤波电容,三颗物料;SiT1630单颗器件,不需要任何外部电容,物料数量减少.单颗SiT1630物料单价高于普通音叉石英,但省去电容采购,仓储,SMT贴装费用,同时减少电容来料不良风险,综合物料成本差距大幅缩小.
研发成本层面:无源石英方案需要投入工程师时间调试负载电容,反复测试不同PCB版本频偏,排查不起振,温漂异常问题;很多项目在样品阶段没问题,量产换一家PCB厂之后,寄生电容变化,时钟频偏超标,重新改版.SiT1630免调试,上电直接输出标准时钟,一次布线完成,大幅节省硬件调试周期,加快项目上市节奏,研发人力成本节约非常可观.
量产良率成本:石英晶振本身易碎,来料存在一定比例失效;贴装,回流焊,组装挤压都可能造成隐性损伤,老化之后陆续出现时钟故障,带来售后返修成本.MEMS硅结构机械可靠性更高,来料一致性好,不良率更低,长期售后成本下降.
性能上限层面:石英音叉晶振年老化离散,部分批次老化速率快,使用一两年走时偏差持续放大;SiT1630年老化典型±1ppm,参数指标可控,产品长期性能一致性更好.
当然也要客观说明边界:如果是超大批量,对成本极度敏感,环境温和,PCB空间充足,工程师已经熟练搞定石英调试的简单方案,石英方案依然可以使用;但只要产品满足下面任意一条,SiT1630替换价值显著:产品追求长续航,设备跌落振动多,工作温差大,PCB空间紧张,研发人手紧张不想调试时钟,产品售后返修率高,出口高端穿戴音频医疗品类.
第七章量产测试,可靠性验证,品质保障要点
SiTime贴片晶振原厂针对SiT1630设置完整出厂测试流程,每一颗器件出厂都经过频率,电流,输出波形,温度筛选,参数符合规格书指标.锦玉电子作为授权代理,供货渠道原厂直供,杜绝翻新,水货,散新料,所有批次附带原厂COC出厂证明,支持批次追溯.
客户在项目验证阶段,推荐做这几项可靠性测试,验证SiT1630适配自家产品:
高低温循环测试:-40℃~+85℃循环,监测时钟输出是否持续稳定,记录不同温度下频率偏移,核对是否符合选型稳定度档位;
功耗测试:多电压点(1.5V,2.0V,3.0V,3.63V)测试静态电流,核对和datasheet一致性;
振动跌落测试:模拟穿戴,物流场景跌落,测试之后检测时钟是否停振,频漂是否突变;
老化测试:持续通电几百小时,监测走时漂移,评估长期老化特性;
EMI摸底测试:在整机辐射,传导干扰环境下,观察时钟输出是否异常.
测试过程中,锦玉电子技术工程师可以配合提供技术支持,协助排查异常现象,对比原厂参考数据,判断是器件本身问题还是PCB电路,布局引入的干扰问题.
第八章SiT1630选型配套,样品申请与供应链服务(锦玉电子)
锦玉电子深耕SiTimeMEMS晶振代理业务,主营SiTime全系列MEMS振荡器,覆盖SiT1630,SiT1532,SiT1811,SiT5356等kHz低功耗时钟,MHz振荡器,TCXO温补振荡器,服务深圳以及全国消费电子,穿戴,音频,医疗,工业IoT方案公司.针对SiT1630,我们提供全链条配套服务:
第一,样品快速申请.工程师评估方案,可直接联系我们申请SiT1630不同稳定度,不同封装样品,支持少量样品寄送,配套规格书,应用笔记,PCB参考图,快速开展EVB验证;第二,选型技术支持.根据客户产品供电电压,温度范围,走时精度,功耗预算,PCB空间,推荐最合适SiT1630子型号,同时对比SiTime其他32kHzMEMS型号,给出横向选型方案;第三,稳定批量供货.原厂渠道备货,交期可控,支持小批量试产,大批量持续供货,适配项目从样品,试产到量产爬坡;第四,资料配套服务:提供英文原版datasheet,中文简介,IBIS模型,可靠性报告,RoHS/REACH资料,方便客户硬件仿真,项目归档,产品认证;第五,售后技术对接.项目遇到时钟异常,功耗疑问,调试难题,可直接和我们技术团队沟通,联动原厂FAE支持定位问题.
联系渠道:锦玉电子,SiTime品牌正规代理,咨询热线:13554885718,欢迎研发工程师,采购负责人,方案商来电洽谈样品,报价,供货事宜.
第九章行业趋势:MEMS时钟逐步替代石英晶振,低功耗计时赛道新方向
过去很长一段时间,32.768kHzRTC时钟市场被石英音叉晶振垄断,核心原因是石英方案成熟,基础单价低.但随着终端产品持续向微型化,长续航,高可靠性方向迭代,石英材料本身的物理短板很难通过工艺改良彻底解决.MEMS硅计时技术经过SiTime多年迭代,功耗指标持续下探,体积持续缩小,成本逐步贴近石英方案,越来越多头部穿戴,音频,IoT品牌开始切换MEMS振荡器方案.
未来电池供电设备的发展主线:设备越来越小,电池容量天花板明显,续航要求越来越长,产品使用环境更加复杂.时钟作为永远在线的休眠基准,地位会越来越重要.32kHz时钟不再是一个随便选型的被动器件,而是直接影响产品核心卖点(续航,可靠性)的关键器件.SiT1630正是顺应这个趋势推出的标准化产品,平衡功耗,尺寸,稳定性,易用性,给硬件团队提供一个低风险,高收益的石英替换路线.
需要说明,MEMS晶振不会在所有场景完全取代石英晶振,二者会长期共存.石英在一些成本极致,环境温和,空间充裕的简单方案里依然保有优势;而MEMS振荡器在微型化,高可靠,宽温,低功耗,快速研发迭代的高端赛道,优势持续放大.对于方案公司而言,提前储备SiTimeMEMS时钟方案,在新品立项阶段就纳入选型池,能够构建差异化产品竞争力,避开石英晶振供应链波动,良率波动带来的项目风险.
从TWS耳机,智能穿戴,便携医疗传感,到蓝牙资产标签,工业智能表计,户外IoT采集终端,SiT1630可以广泛落地,帮助终端产品延长电池续航,缩小结构体积,提升抗环境干扰能力,降低研发调试与售后返修成本.
锦玉电子作为SiTime授权代理,依托原厂稳定资源,为广大硬件企业提供SiT1630以及全系列SiTimeMEMS晶振样品申请,选型方案,批量供货,技术支持一站式服务.如果您正在评估32.768kHz时钟方案,计划替换原有石英晶振,或是新品项目寻找低功耗RTC时钟源,欢迎随时致电锦玉电子咨询洽谈:13554885718.我们期待和各位工程师,方案伙伴一起,依托SiTime先进MEMS计时技术,打造续航更长,稳定性更强,体验更优的电池供电智能产品.
SiT1630专为电池供电应用优化的32.768kHz振荡器
| O 19.20-JTP75HC-J-K-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTP75HC | TCXO | 19.2 MHz |
| O 10.0-JTP75HCV-J-K-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 10 MHz |
| O 20.0-JTP75HCV-J-K-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 20 MHz |
| O 10.0-JTP75HCV-J-P-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 10 MHz |
| O 20.0-JTP75HC-J-P-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTP75HC | TCXO | 20 MHz |
| O 19.20-JTP75HC-J-P-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTP75HC | TCXO | 19.2 MHz |
| O 20.0-JTP75HCV-J-P-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 20 MHz |
| O 19.20-JTP75HCV-J-P-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 19.2 MHz |
| O 10.0-JTP75HC-J-P-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTP75HC | TCXO | 10 MHz |
| O 38.880-JTP75HCV-J-P-3.3-1616-08XO-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 38.88 MHz |
| O 38.880-JTP75HC-J-P-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTP75HC | TCXO | 38.88 MHz |
| O 20.0-JO32-B-1V3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO32 | XO (Standard) | 20 MHz |
| O 32.0-JO32-B-1V3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO32 | XO (Standard) | 32 MHz |
| O 40.0-JO32-B-1V3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO32 | XO (Standard) | 40 MHz |
| O 38.40-JO22H-E-3.3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 38.4 MHz |
| O 40.0-JTP32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 40 MHz |
| O 25.0-JTP32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 25 MHz |
| O 19.20-JTP32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 19.2 MHz |
| O 10.0-JTP32CSV-F-K-1.8-0909-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 10 MHz |
| O 25.0-JTP32CSV-F-K-1.8-0909-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 25 MHz |
| O 40.0-JTP32CSV-F-K-1.8-0909-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 40 MHz |
| O 19.20-JTP32CSV-F-K-1.8-0909-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 19.2 MHz |
| O 20.0-JTP32CSV-F-K-1.8-0909-1015-LF | Jauch振荡器 | JTP32CSV | VCTCXO | 20 MHz |
| O 40.0-JTS32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTS32CSV Stratum 3 | VCTCXO | 40 MHz |
| O 19.20-JTS32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTS32CSV Stratum 3 | VCTCXO | 19.2 MHz |
| O 25.0-JTS32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTS32CSV Stratum 3 | VCTCXO | 25 MHz |
| O 20.0-JTS32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTS32CSV Stratum 3 | VCTCXO | 20 MHz |
| O 10.0-JTS32CSV-F-K-3.3-1510-1015-LF | Jauch振荡器 | JTS32CSV Stratum 3 | VCTCXO | 100 MHz |
| O 10.0-JTP75HCV-F-K-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 10 MHz |
| O 10.0-JTP75HCV-F-P-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTP75HCV | VCTCXO | 10 MHz |
| O 10.0-JTS75HCV-F-K-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTS75HCV Stratum 3 | VCTCXO | 10 MHz |
| O 19.20-JTS75HCV-F-K-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTS75HCV Stratum 3 | VCTCXO | 19.2 MHz |
| O 20.0-JTS75HCV-F-K-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTS75HCV Stratum 3 | VCTCXO | 20 MHz |
| O 19.20-JTS53HC-F-K-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTS53HC Stratum 3 | TCXO | 19.2 MHz |
| O 20.0-JTS53HC-F-K-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTS53HC Stratum 3 | TCXO | 20 MHz |
| O 19.20-JTS53HC-F-P-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTS53HC Stratum 3 | TCXO | 19.2 MHz |
| O 20.0-JTS53HC-F-P-3.3-LF | Jauch振荡器 | JTS53HC Stratum 3 | TCXO | 20 MHz |
| O 19.20-JTS75HCV-F-P-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTS75HCV Stratum 3 | VCTCXO | 19.2 MHz |
| O 20.0-JTS75HCV-F-P-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTS75HCV Stratum 3 | VCTCXO | 20 MHz |
| O 10.0-JTS75HCV-F-P-3.3-1616-08X0-LF | Jauch振荡器 | JTS75HCV Stratum 3 | VCTCXO | 10 MHz |
| O 26.0-JO32-B-1V3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO32 | XO (Standard) | 26 MHz |
| O 26.0-JO22-B-1V3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22 | XO (Standard) | 26 MHz |
| O 32.0-JO22-B-1V3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22 | XO (Standard) | 32 MHz |
| O 19.20-JO22H-E-1.8-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 19.2 MHz |
| O 19.20-JO22H-E-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 19.2 MHz |
| O 19.20-JO22H-E-3.3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 19.2 MHz |
| O 24.0-JO22H-E-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 24 MHz |
| O 24.0-JO22H-E-3.3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 24 MHz |
| O 26.0-JO22H-E-1.8-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 26 MHz |
| O 26.0-JO22H-E-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 26 MHz |
| O 26.0-JO22H-E-3.3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 26 MHz |
| O 32.0-JO22H-E-1.8-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 32 MHz |
| O 32.0-JO22H-E-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 32 MHz |
| O 32.0-JO22H-E-3.3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 32 MHz |
| O 38.40-JO22H-E-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 38.4 MHz |
| O 19.20-JO22H-F-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 19.2 MHz |
| O 19.20-JO22H-F-3.3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 19.2 MHz |
| O 24.0-JO22H-F-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 24 MHz |
| O 24.0-JO22H-F-3.3-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 24 MHz |
| O 26.0-JO22H-F-2.5-1-T1-LF | Jauch振荡器 | JO22H | XO (Standard) | 26 MHz |
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