希华晶振,贴片晶振,SHO-2520晶振
频率:3.2~55MHz
尺寸:2.5*2.0mm
	 
 
希华晶振,贴片晶振,SHO-2520晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
	贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。 
 
| 项目 | 符号 | SHO-2520晶振规格说明 | 条件 | 
| 输出频率范围 | f0 | 3.2~55MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | 
| 电源电压 | VCC | 1.60 Vto 3.63 V | 请联系我们以了解更多相关信息 | 
| 储存温度 | T_stg | -55℃to +125℃ | 裸存 | 
| 工作温度 | T_use | G: -40℃to +85℃ | 请联系我们查看更多资料http://www.jyyshkj.com | 
| H: -40℃to +105℃ | |||
| J: -40℃to +125℃ | |||
| 频率稳定度 | f_tol | J: ±50 × 10-6 | 
 | 
| L: ±100 × 10-6 | |||
| T: ±150 × 10-6 | |||
| 功耗 | ICC | 3.5 mA Max. | 无负载条件、最大工作频率 | 
| 待机电流 | I_std | 3.3μA Max. | ST=GND | 
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % | 50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF | 
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | 
 | 
| VOL | 0.4 V Max. | 
 | |
| 输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | 
 | 
| 输入电压 | VIH | 80% VCC Max. | ST 终端 | 
| VIL | 20 % VCC Max. | ||
| 上升/下降时间 | tr / tf | 4 ns Max. | 20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF | 
| 振荡启动时间 | t_str | 3 ms Max. | t=0 at 90 % | 
| 频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25℃,初年度,第一年 | 
 
 
	
	
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
	产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当石英晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
 希华晶振环保方针:
希华晶振环保方针:
希华晶振科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。
	 希华晶振科技股份有限公司藉由环境/安卫管理系统的推动执行,以整合内部资源,奠定经营管理的基础。藉执行环境考量面/安卫危害鉴别作业,环境/安卫管理方案和内部稽核为手段,合理化推动环境/安卫管理,落实环境/安卫系统有效实施。希华晶振,贴片晶振,SHO-2520晶振. 
 
采购:希华晶振,贴片晶振,SHO-2520晶振
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