NV13M09WS晶振,NV13M09WT晶振,大体积SMD晶振

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NDK晶振,贴片晶振,NV13M09WS晶振,NV13M09WT晶振

频率：100~125MHz

尺寸：13.5*9.2mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-29952090

NDK晶振,贴片晶振,NV13M09WS晶振,NV13M09WT晶振,日本电波工业株式NDK晶振经营范围：晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售.

牵引范围（VCXO）：是针对VCXO压控晶振的参数。带有压控功能的晶振为（VCXO），即通过调节控制电压改变输出频率。牵引范围为变化频率(增大或减少)与中心频率的比值。此值一般用ppm表示。通常牵引范围大约为100 - 200ppm，取决于VCXO压控晶振的结构和所选择的晶体。

型号		NV13M09WS(VCXO)
输出频率范围		100~125MHz
标准频率		100MHz/122.8MHz
电源电压范围		+1.68?+3.5V
电源电压（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10^-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	频率控制极性	正极性

型号		NV13M09WT(VCXO)
输出频率范围		100~125MHz
标准频率		100MHz/122.8MHz
电源电压范围		+1.68?+3.5V
电源电压（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10^-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	频率控制极性	正极性

所有产品的共同点
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。NDK晶振环保方针：

日本电波工业株式NDK晶振由于制造普通晶体振荡器（PXO）、压控晶体振荡器（VCXO）、温补晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）、陶瓷谐振器等涉及高温处理，所以需要大量电力的过程。通过使产品更加紧凑，可以增加每个工序引入的零件数量。设备功耗几乎不影响零件数量。因此，每个产品的功耗减少由于增加的部件的数量，然后抑制二氧化碳排放。与这项改革，减少功耗设备也实施。为了快速响应我们的客户需求，我们整合了我们的基本技术，设计技术，生产技术和制造技术，成功地减少和减轻产品使用最先进的技术。

NDK晶振集团作为“地球内企业”，在保护地球环境方面发挥着领导作用。我们尊重历史、文化和传统的多样性，并致力于“CSR经营”和“环境经营”。为取得社会的信任，为推动环境负荷最小化，集团还开展了各种各样的活动。NDK晶振,贴片晶振,NV13M09WS晶振,NV13M09WT晶振.